Физики изучили наногетероструктуры на основе арсенида галлия
Физики изучили наногетероструктуры на основе арсенида галлия
Новости
Российские ученые ускорили работу электроники
Физики изучили наногетероструктуры на основе арсенида галлия
Российские ученые создали наногетероструктуры на основе арсенида галлия, способные ускорить работу высокочастотных микросхем.
Гетероструктура представляет собой выращенный на подложке слоистый материал из различных полупроводников, обычно используемых в электронике.
Сотрудники Национального исследовательского ядерного университета «МИФИ» вместе с коллегами из Института физики металлов СО РАН смогли решить проблему увеличения механического напряжения кристаллической решётки при увеличении содержания индия в активном токоведущем слое материала.
Дело в том, что увеличение содержания индия позволяет уменьшить массу электронов в структуре, а также увеличить их скорость и быстродействие электронных приборов.
Российские физики нарастили толстый «переходный» слой и постепенно увеличивали содержание индия в составе активного слоя, доведя его почти до 100 процентов при минимуме механических напряжений.
Уточняется, что рост образцов проводился методом эпитаксии – послойного выращивания кристаллически совершенных полупроводников на «виртуальной подложке».
Ученые смогли подобрать оптимальную для выращивания температуру подложки, конструкцию переходного слоя, толщину и состав активного слоя.
Далее электронные свойства созданных в «МИФИ» образцов измерили специалисты ИФМ СО РАН.
«Это, в первую очередь, фундаментальное исследование», – рассказал доцент кафедры физики конденсированных сред НИЯУ МИФИ Иван Васильевский.
По его словам, подобные структуры имеют высокую подвижность электронов и обеспечивают высокие (до 200 ГГц) частоты работы транзисторов и микросхем.
