Открытие ученых из Курчатовского института повысит быстродействие компьютеров
Открытие ученых из Курчатовского института повысит быстродействие компьютеров
Открытие ученых из Курчатовского института повысит быстродействие компьютеров
Ученые из Курчатовского института создали двумерный материал, который можно использовать при разработке инновационных электронных устройств.
Дело в том, что разработчики вычислительной техники во всем мире подошли к физическому пределу уменьшения размеров электронных устройств.
Начиная со сверхмалых размеров элемента микросхемы - наноразмеров - проявятся квантовые эффекты, и транзисторы попросту не будут работать. Кроме того, проявится проблема скорости передачи данных от транзистора к транзистору. Пределом здесь является сама скорость света, с которой передаются электрические сигналы. Еще одной важной проблемой является необходимость охлаждения.
Современная электроника базируется на кремниевом транзисторе, способном находиться в состоянии ноля или единицы. В будущем эти параметры будут задаваться так называемым спином электрона, его квантовым состоянием, которое в определенных условиях тоже может принимать ровно одно из двух значений.
Спинтроника приведет к уменьшению размеров электронных приборов, а также решению проблемы постоянного охлаждения.
Все это станет возможным, если создать такой спинтронный материал, который позволил бы безболезненно интегрировать новую технологию в существующую кремниевую электронику.
Ученым Курчатовского института первым удалось создать такой материал. Разработка представляет собой тончайшую пленку магнита толщиной от одного до нескольких атомных слоев, позволяющего выстроить спины электронов в одном направлении и реализовать на его основе спинтронную технологию.
По словам руководителя лаборатории новых элементов наноэлектроники Курчатовского комплекса НБИКСприродоподобных технологий, доктора физико-математических наук, профессора Вячеслава Сторчака, переход электроники на спинтронные технологии займет около 20 лет, а процесс уменьшения размеров электронных устройств и увеличения их быстродействия продолжится, несмотря на столкновение с физическими барьерами.