Физики изучили наногетероструктуры на основе арсенида галлия

Физики изучили наногетероструктуры на основе арсенида галлия

Новости
16.03.2018 16:55
отправить
Задать вопрос
по материалу
Новость дня
Финал всероссийского III конкурса HR–ов пройдет в Москве
Новость дня
Офис – там, где ты
Новость дня
Какое будущее у майнинга: мнение экспертов
Новость дня
Никита Куликов: Боевые роботы – это то же самое что автомат Калашникова
Новость дня
Могут ли у роботов появиться эмоции?
Новость дня
Нейросети на практике: работающая технология или маркетинговая уловка
Новость дня
Как не попасть в ловушку криптовалютных мошенников
Новость дня
Почему биткоину сложно достичь прежних высот
Новость дня
Роботы вместо начальников
Новость дня
Роботы из международных корпораций
ещё...
 

Российские ученые ускорили работу электроники

Физики изучили наногетероструктуры на основе арсенида галлия

Российские ученые создали наногетероструктуры на основе арсенида галлия, способные ускорить работу высокочастотных микросхем.

Гетероструктура представляет собой выращенный на подложке слоистый материал из различных полупроводников, обычно используемых в электронике.

Сотрудники Национального исследовательского ядерного университета «МИФИ» вместе с коллегами из Института физики металлов СО РАН смогли решить проблему увеличения механического напряжения кристаллической решётки при увеличении содержания индия в активном токоведущем слое материала.

Дело в том, что увеличение содержания индия позволяет уменьшить массу электронов в структуре, а также увеличить их скорость и быстродействие электронных приборов.

Российские физики нарастили толстый «переходный» слой и постепенно увеличивали содержание индия в составе активного слоя, доведя его почти до 100 процентов при минимуме механических напряжений. 

Уточняется, что рост образцов проводился методом эпитаксии – послойного выращивания кристаллически совершенных полупроводников на «виртуальной подложке».

Ученые смогли подобрать оптимальную для выращивания температуру подложки, конструкцию переходного слоя, толщину и состав активного слоя.

Далее электронные свойства созданных в «МИФИ» образцов измерили специалисты ИФМ СО РАН.

«Это, в первую очередь, фундаментальное исследование», – рассказал доцент кафедры физики конденсированных сред НИЯУ МИФИ Иван Васильевский.

По его словам, подобные структуры имеют высокую подвижность электронов и обеспечивают высокие (до 200 ГГц) частоты работы транзисторов и микросхем. 

Смотрите также:


«Умные» дома по программе реновации построят в Москве к концу 2020 года
Жилье возводят по стандартам smart 1.0
14.11.2018 18:07
Правительство утвердит нацпрограмму «Цифровая экономика» в декабре
Она включает шесть направлений, по каждому из которых подготовят отдельную целевую программу
14.11.2018 16:04